从功率器件的过渡特性看功放的动指标。

关中猫

:funk: :funk: :funk:

今夜星光

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原帖由 饿虎扑食 于 2010-4-23 09:25 发表


这是挑战吗？[s:18] [s:18] [s:18] 楼主有这么好斗吗？你这是在挑拨吧。[s:98] [s:8] [s:8] [s:8]

不是挑战，这是讨论，或说指教。[s:18] [s:18] [s:18] [s:14] [s:14] [s:14]

lyticast

原帖由 饿虎扑食 于 2010-4-23 08:42 发表


我比较关心1W以下的失真，有图吗？[s:21] [s:21] [s:21]

http://www.national.com/CHS/an/AN/AN-1645.pdf
到国半网站下载应用手册。对于全频带的功放，采用低开启电压，高跨导的逻辑电平场效应管性能最好。
IRFP240和9240我用于主动伺服低音放大器的，取其安全工作区宽广，输出能力强的优点。低功率下稍大点的失真对于低音来说无足轻重。
国半那个15V/us是指输出用达林顿时能够达到的SR，用场管远远不止。最开始我也用过K214，J77做推动，SR可超过60V/us。对比直驱，听感无变化。于是就求简，省略掉了推动管了。
栅极电阻还是力求小点的好。

anony

原帖由 lyticast 于 2010-4-23 15:05 发表

http://www.national.com/CHS/an/AN/AN-1645.pdf
到国半网站下载应用手册。对于全频带的功放，采用低开启电压，高跨导的逻辑电平场效应管性能最好。
IRFP240和9240我用于主动伺服低音放大器的，取其安全工作区宽 ...

错！ 芯片的SR只能是芯片本身的，与后级输出管无关，否则参数还有啥意义，附上手册中的测试电路。

lyticast

原帖由 anony 于 2010-4-23 15:31 发表

错！ 芯片的SR只能是芯片本身的，与后级输出管无关，否则参数还有啥意义，附上手册中的测试电路。
1975869

那请解释为何接上中功率驱动管后SR就远大于手册给出的SR呢？

anony

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原帖由 lyticast 于 2010-4-23 15:34 发表

那请解释为何接上中功率驱动管后SR就远大于手册给出的SR呢？

我没测试过，不知道原因，如果后级只是电流放大，不可能SR会变大。

anony

原帖由 lyticast 于 2010-4-23 15:34 发表

那请解释为何接上中功率驱动管后SR就远大于手册给出的SR呢？

能给出60V/uS的测试电路和数据吗？

lyticast

原帖由 anony 于 2010-4-23 15:36 发表

我没测试过，不知道原因，如果后级只是电流放大，不可能SR会变大。

请先下载看完应用手册在下结论。我上面的回帖有AN-1645.pdf的下载地址。
另外LME49810的高SR是通过减小Cc来获得的，实际使用中并不稳定，如果也加到30pF，那么测试结果表明SR也只得15V/us。

anony

原帖由 lyticast 于 2010-4-23 15:39 发表

请先下载看完应用手册在下结论。我上面的回帖有AN-1645.pdf的下载地址。
另外LME49810的高SR是通过减小Cc来获得的，实际使用中并不稳定，如果也加到30pF，那么测试结果表明SR也只得15V/us。

我看过，再怎么样，基本的常识是不会变的，不会用应用电路的参数来标注芯片的参数。你也可以看一下http://www.national.com/ds/LM/LM4702.pdf这个手册，有测试数据的电路和条件。

lyticast

原帖由 anony 于 2010-4-23 15:37 发表

能给出60V/uS的测试电路和数据吗？

测试电路同AN-1645.pdf的加驱动电路，测试结果56~60V/us。再要高也容易，末级接成倒相输出，中功率MOSFET驱动，超过200V/us都不是难事。

anony

原帖由 lyticast 于 2010-4-23 15:43 发表

测试电路同AN-1645.pdf的加驱动电路，测试结果56~60V/us。再要高也容易，末级接成倒相输出，中功率MOSFET驱动，超过200V/us都不是难事。

你测的是电路的SR，不是芯片的SR，如果能搞个后级电压5000V的电路，那么SR又该是多少呢？，科学要严谨，不能胡来的。

lyticast

原帖由 anony 于 2010-4-23 15:42 发表

我看过，再怎么样，基本的常识是不会变的，不会用应用电路的参数来标注芯片的参数。你也可以看一下http://www.national.com/ds/LM/LM4702.pdf这个手册，有测试数据的电路和条件。

关于这个，我也很奇怪。为何国半应用手册和数据手册前后矛盾。但是国半现成的应用手册放在那儿，我一个朋友实测的结果也表明应用手册的数据是没错的。同样不解中。
另：国半的IC对PCB走线要求颇高。结构布局不合理就会造成指标很好，但是声音极难听的结果。

lyticast

原帖由 anony 于 2010-4-23 15:46 发表

你测的是电路的SR，不是芯片的SR，如果能搞个后级电压5000V的电路，那么SR又该是多少呢？，科学要严谨，不能胡来的。

1975887

这个说法我同意，毕竟单纯LM4702是不能使用的。最终的性能和外接的功率管以及实际的结构有着很大的关系。

anony

基本上来讲，以我的专业能力，我不能同意你的观点，希望能看到更有说服力的东西。

lyticast

原帖由 anony 于 2010-4-23 15:50 发表
基本上来讲，以我的专业能力，我不能同意你的观点，希望能看到更有说服力的东西。

以我的专业能力来看，贮存时间很长的GTR不能用于音频放大。关断失真是客观存在的，不管你同不同意我的观点。
在我设计制作的电力电子产品里面，是看不到BJT，GTR的影子的。MOSFET一统天下。当然了，我采用MOSFET设计的产品，最大功率只是20KW，160KHz而已。