从功率器件的过渡特性看功放的动指标。

灰色的天空 · 发表于 2010-4-21 22:54

原帖由 lyticast 于 2010-4-21 22:52 发表

对我来说，输入级和电压级已经IC化了，仅考虑输出级就行。考虑到速度和可靠性，最终选用MOSFET。事实上在14年前我进入电力电子行业后，仅用过一次IGBT，其余全部MOSFET，取其可靠性。

MOSFET在高压大电流方面还是略逊IGBT一筹的。

灰色的天空 · 发表于 2010-4-21 22:55

还有做音频功放和电力电子的思路也有所不同。

lyticast · 发表于 2010-4-21 22:57

晶体管还有个很棘手的问题，就是二次击穿。很多时候是冷态即爆管。常见于DIY的大甲[s:14]

灰色的天空 · 发表于 2010-4-21 22:58

再总结一下，我并不反对用MOSFET做功放的输出管，事实上很多优秀的功放也采用MOSFET，我只是不认同把音质的差别归咎于输出管的一个参数上，任何一个放大器都是一个整体工程。

灰色的天空 · 发表于 2010-4-21 22:59

原帖由 lyticast 于 2010-4-21 22:57 发表
晶体管还有个很棘手的问题，就是二次击穿。很多时候是冷态即爆管。常见于DIY的大甲[s:14]

MOSFET也存在静电击穿的问题啊。

饿虎扑食 · 发表于 2010-4-21 23:02

2SK1056/J160、2SK1058/J162的独到之处。[s:14] [s:97] [s:30]
仔细看看，就会觉得跟2SK134/J49、2SK135/J50非常相似。[s:14] [s:14] [s:14]

饿虎扑食 · 发表于 2010-4-21 23:08

K1056/K1058的频率特性。[s:14] [s:97] [s:30]

lyticast · 发表于 2010-4-21 23:09

原帖由 灰色的天空 于 2010-4-21 22:59 发表

MOSFET也存在静电击穿的问题啊。

没那么恐怖吧？大功率MOSFET栅电容很大，不容易积累高压。小信号的，LDMOS内部都集成了保护用的稳压管。要不然别用了，手一摸就坏了不是？

灰色的天空 · 发表于 2010-4-21 23:13

原帖由 lyticast 于 2010-4-21 23:09 发表

没那么恐怖吧？大功率MOSFET栅电容很大，不容易积累高压。小信号的，LDMOS内部都集成了保护用的稳压管。要不然别用了，手一摸就坏了不是？

这是概率问题，不知到有人统计过晶体管的二次击穿概率吗？还是一句老话，萝卜青菜各有所爱。

算了，我到此为止了，余下的问题就交给技术派去处理，我还是玩我的风花雪月去了。[s:97] [s:97] [s:97]

饿虎扑食 · 发表于 2010-4-21 23:19

原帖由 灰色的天空 于 2010-4-21 23:13 发表

这是概率问题，不知到有人统计过晶体管的二次击穿概率吗？还是一句老话，萝卜青菜各有所爱。

算了，我到此为止了，余下的问题就交给技术派去处理，我还是玩我的风花雪月去了。[s:97] [s:97] [s:97]

二次击穿我遇上过很多次了，MJ2955/2N3055击穿N对，2SC3907/2SA1516击穿一对。[s:16] [s:16] [s:16]

今夜星光 · 发表于 2010-4-21 23:22

引用LZ: 当输入的是高低频混合的音乐信号时，就会产生很大的差别。一般低频信号的幅度是很大的，对于叠加于低频信号上的高频信号（细节）来说，贮存时间将是致命的缺点。它会将细节做一些平滑，使得细节损失，于是听感就变暗。

请问LZ，为什么在混合信号时，tstg才成为重要？甚至是致命的？

lyticast · 发表于 2010-4-21 23:24

原帖由 饿虎扑食 于 2010-4-21 23:19 发表

二次击穿我遇上过很多次了，MJ2955/2N3055击穿N对，2SC3907/2SA1516击穿一对。[s:16] [s:16] [s:16]

[s:14]是你太抠门了吧？晶体管挺忌讳电源电压接近击穿电压的。MOSFET就不必考虑了。

[ 本帖最后由 lyticast 于 2010-4-21 23:40 编辑 ]

lyticast · 发表于 2010-4-21 23:35

原帖由 今夜星光 于 2010-4-21 23:22 发表
引用LZ: 当输入的是高低频混合的音乐信号时，就会产生很大的差别。一般低频信号的幅度是很大的，对于叠加于低频信号上的高频信号（细节）来说，贮存时间将是致命的缺点。它会将细节做一些平滑，使得细节损失，于是听 ...

晶体管的基区大注入效应。

lyticast · 发表于 2010-4-21 23:44

原帖由 灰色的天空 于 2010-4-21 22:58 发表
再总结一下，我并不反对用MOSFET做功放的输出管，事实上很多优秀的功放也采用MOSFET，我只是不认同把音质的差别归咎于输出管的一个参数上，任何一个放大器都是一个整体工程。

在功放中，90%的失真来自于末级输出管。[s:57]

今夜星光 · 发表于 2010-4-21 23:59

原帖由 lyticast 于 2010-4-21 23:35 发表

晶体管的基区大注入效应。

如果储存时间过长确实引起细节的缺失，那么，抓住这点来改进功放，尽管仅仅是一点，还是挺好的。[s:20] [s:20] [s:20]

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