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楼主: ken.li

黑.色.诱惑JVC HD1(第20页提供了测试数据)

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发表于 2007-7-26 13:06 | 显示全部楼层
原帖由 AIF824 于 2007-7-26 11:58 发表

你这个观点是完全错误的。
ANSI对比度不是随着ON/OFF对比度变化的,不是简单的倍数关系。LCOS的ANSI对比度难以提高是因为透过式原理,虽然加了反射,但透过没有被完全消除。
HD1的ANSI对比没有800:1那么多 ...


LCoS的 ANSI对比度难以提高,你先要搞清楚 LCoS的构造,我们看图说话!

下面的截图是 LCoS典型代表:SXRD(我这个图片是 1.55英寸的 4K-SXRD的横截面图)。


你首先要明白,LCoS的图像明暗是怎样产生的(也就是如何产生灰度级变化)。

LCoS是通过输入信号决定的电压模拟量来控制液晶分子偏转角度来产生丰富的灰度级变化。

那么实际上 LCoS的对比度自然也是液晶分子偏转所产生。

普通的液晶分子的排列是水平的(而并非是 LCoS技术那样的垂直排列)。

这个怎么理解呢?也就是说,我们通常所说的 ON/OFF 对比度是光线全开和全关的状态。而普通的液晶在不通电压的时候,它的分子结构是呈现自然的水平状态(也就是光线全透过模式),而要想实现全黑,那么就必须对液晶分子加电压让其偏转到与水平面 90度的垂直状态时,液晶分子才能完全遮挡光线,让其无法通过来实现“全黑”。

从图中我们能很直观的看到,中间部分的液晶分子构成的液晶层,它是由若干层液晶分子组成的。从光线的入射方向来划分,液晶分子分为表层和底层部分。而这个液晶分子层的控制就是由电压模拟量所产生的外部电场力来实现的。也就是说,电场力根据输入信号所决定的电压强弱来决定控制液晶层的电场力的大小。而电场力的大小就决定了液晶分子偏转角度的大小、形态上的差异。


但问题就出在,电压的模拟量所产生的电场力可以很精确的控制离外电场较近的表层分子的偏转角度,但却难以做到精确控制离外电场较远的底层液晶分子的偏转角度。所以通常水平排列的液晶层,的 ON/OFF对比度很难做高,因为水平排列的液晶分子,它的全黑状态必须要电压加力的情况下,让液晶分子由水平偏转到垂直状态来实现,而这时候,底层的液晶分子很难做到与表层完全精确一致的控制,所以在表层偏转到90度的时候,其底层分子必然要产生一定的偏差(比如:85度、88度等),那漏光现象就在所难免了。所以普通的液晶技术的水平排列方式,其ON/OFF 对比度很难做高(漏光在所难免)。

而LCoS的垂直液晶排列的好处是:在不加电压的状态下,其液晶分子是呈自然的 90度垂直的完全不透光状态(所以不存在需要电压控制一说,自然就能做到 ON/OFF 要比一般的液晶技术高得多,技术上也更容易将对比度做高),而当加电压后,其液晶分子偏转所决定的就是透光状态,当偏转到 180度的水平状态时(就看成是全透过的“全白”)。


LCoS用来反射光的是位于液晶分子和和下配向层后面的金属板(通常是采用铝板),液晶分子偏转所产生的对光线遮挡和通过的导通、断间的状态变化,决定了照射到铝反射面的被反射光线量的多少,同时也决定了反射光的明暗、层次变化。(从而产生了丰富多彩的灰度级变化)。


而实际上 ANSI 对比度的控制方式与 ON/OFF 是相似的!只不过在画面上同时存在多个明、暗区域的时候,外电场力需要产生多组大小不同的电场力来控制多个位置液晶分子的偏转角度,以此来达到画面上形成多个不同区域的“亮和暗”的部分。

那这时候就极其考量液晶分子控制精度的精确性。那么这时候 LCoS要完全达到精确的控制所有明、暗区域表、底层液晶分子是很难做到的,所以其流明对比度自然无法像很精确的数字控制的 DLP那样优秀。

但这个技术难题不是不能解决,一个是可以通过减小液晶层及上下配向和间隔层的厚度让液晶表、底层分子更接近来解决,另一个办法就是重新排列液晶分子的位置排列方式,让表、底层液晶分子之间能产生“牵连”作用。在控制表层分子的时候同时能做到牵连控制底层分子。
LCoS截面.jpg
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发表于 2007-7-26 13:13 | 显示全部楼层
DLP出道得比LCOS要长得多,LCOS改进和发展的空间还相当很大!LCOS的确是一种最有希望的技术!
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发表于 2007-7-26 13:16 | 显示全部楼层
原帖由 wonder88 于 2007-7-26 13:13 发表
DLP出道得比LCOS要长得多,LCOS改进和发展的空间还相当很大!LCOS的确是一种最有希望的技术!



LCoS出道时间其实和 DLP差不多!

最早的现在 LCoS的雏形可以从 80年代 JVC 和美国休斯联合研制的 ILA算起。

而 1996年的 D-ILA技术可以看成是 LCoS的第一代技术应用。

只不过 LCoS技术真正普及化和市场逐渐成熟化是从 2003年 SONY的 SXRD发布以后才开始的!
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发表于 2007-7-26 13:19 | 显示全部楼层
DILA的机器我用四年了.来的就是二手机器,先后用过十多台,从九八年产的开始没有遇见一台老化的,所以不必担心老化问题.
放低分辨率的片效果发虚是因为,DILA的晶格间隙太小.有点像三枪,容易糊.同时也影响了她的锐度.她是数字直接驱动的,只有点对点显示才能完美.
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发表于 2007-7-26 13:19 | 显示全部楼层
原帖由 zjxs 于 2007-7-26 13:16 发表



LCoS出道时间其实和 DLP差不多!

最早的现在 LCoS的雏形可以从 80年代 JVC 和美国休斯联合研制的 ILA算起。

而 1996年的 D-ILA技术可以看成是 LCoS的第一代技术应用。

只不过 LCoS技术真正普及化 ...


我的意思是真正进入家用市场还很短!!
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发表于 2007-7-26 13:20 | 显示全部楼层
原帖由 zjxs 于 2007-7-26 13:06 发表


LCoS的 ANSI对比度难以提高,你先要搞清楚 LCoS的构造,我们看图说话!

下面的截图是 LCoS典型代表:SXRD(我这个图片是 1.55英寸的 4K-SXRD的横截面图)。


你首先要明白,LCoS的图像明暗是怎样产生 ...


垂直技术并不是HD1一家在用,你也不用费力转载厂家的技术说明。

ON/OFF对比和ANSI对比的差异其实就一个原理就可以体现了。透过OR非透过。LCOS做得再好,还是需要从晶片穿透,无非是个度的问题。既然是穿透,那么就有影响。

[ 本帖最后由 AIF824 于 2007-7-26 13:24 编辑 ]
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发表于 2007-7-26 13:28 | 显示全部楼层
原帖由 AIF824 于 2007-7-26 13:20 发表


垂直技术并不是HD1一家在用,你也不用费力转载厂家的技术说明。

ON/OFF对比和ANSI对比的差异其实就一个原理就可以体现了。透过OR非透过。



看来你还没有看懂我上面说的!

垂直液晶分子排列解决的只是 ON/OFF 对比度(因为垂直液晶分子状态是完全不加电压的自然状态下,所以它能做到液晶分子完全不透光的状态,不存在电压控制精度的问题)


ANSI 对比度是一个画面下出现多个明、暗区域,那么电压需要多组模式控制 LCoS的液晶分子多个部分的偏转角度。这时候就会产生由于表、底层控制的不统一和偏差而影响 ANSI对比度。


具体得说,垂直液晶分子解决的是统一的全黑、全白控制。而并无法从根本上解决一个画面多个明暗区域的不同控制。

这个控制需要通过减少液晶层及间隔厚度 和 排列方式来解决(目前 JVC采取的是连带的排列方式)
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发表于 2007-7-26 13:32 | 显示全部楼层
原帖由 AIF824 于 2007-7-26 13:20 发表


垂直技术并不是HD1一家在用,你也不用费力转载厂家的技术说明。

ON/OFF对比和ANSI对比的差异其实就一个原理就可以体现了。透过OR非透过。LCOS做得再好,还是需要从晶片穿透,无非是个度的问题。既然是穿 ...



穿过只决定最终到铝片的反射率,但实际上 LCoS的光线利用的反射率比DLP高。目前 LCoS的反射率能做到 75%以上,而多数DLP只能做到 68%左右。


LCoS的液晶分子的“穿过”和 HTPS的液晶分子的“透过”意义不同。 LCoS的液晶分子本身就是起阻挡光线的作用(以此来决定最终照射到铝反射面光线的强弱多少)

[ 本帖最后由 zjxs 于 2007-7-26 13:33 编辑 ]
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发表于 2007-7-26 13:38 | 显示全部楼层
原帖由 AIF824 于 2007-7-26 13:20 发表


垂直技术并不是HD1一家在用,你也不用费力转载厂家的技术说明。

ON/OFF对比和ANSI对比的差异其实就一个原理就可以体现了。透过OR非透过。LCOS做得再好,还是需要从晶片穿透,无非是个度的问题。既然是穿 ...



另外必须纠正一个概念上的错误!

HTPS 的光利用率低并不是因为它的透过方式决定,而是因为其开口率低导致,因为它控制电压变化的继电器是做在相邻两个像素之间,大大占用了HTPS有效的光可利用面积。所以一般 HTPS的光效利用率很难超过 40%!(而开口率低于 60%)

而 LCoS由于控制电路是做在下层的 CMOS上,没有了继电器的阻挡,其光利用率能达到 92%以上,反射率做到 72--75%(这不但远远高于 HTPS,而切也高于DLP的 88% 和 68%的水平)。
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发表于 2007-7-26 13:40 | 显示全部楼层
简单的说,ANSI对比度在LCOS上表现好坏的关键在于:反射率(亮),光线吸收率(暗),以及表面平整度(漫反射干扰).

DMD还是有先天优势.就是目前产品更新换代不够积极.可能德州仪器已经赚得很爽丧失进取心有关系^
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发表于 2007-7-26 13:45 | 显示全部楼层
原帖由 See两See 于 2007-7-26 13:40 发表
简单的说,ANSI对比度在LCOS上表现好坏的关键在于:反射率(亮),光线吸收率(暗),以及表面平整度(漫反射干扰).

DMD还是有先天优势.就是目前产品更新换代不够积极.可能德州仪器已经赚得很爽丧失进取心有关系^



散射(漫反射)等现象在 DLP上更严重。

而且 DMD的像素(镜片)和间隔做得过小,更容易产生漫反射(这也是导致 DMD芯片很难像 LCoS那样以小于 0.8英吋的表面积来做到 1080p解像水平的原因)


DMD的很多固有缺陷是其 MEMS的微机械结构所决定的,很难通过技术手段提高!

比如:其像素(镜片)每个很难做小到低于 10微米,间隔很难做到小于 1微米!(而 LCoS则非常容易能将像素尺寸做到 7微米以下,间隔只有 0.35微米)。
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发表于 2007-7-26 13:48 | 显示全部楼层
原帖由 zjxs 于 2007-7-26 13:28 发表



看来你还没有看懂我上面说的!

垂直液晶分子排列解决的只是 ON/OFF 对比度(因为垂直液晶分子状态是完全不加电压的自然状态下,所以它能做到液晶分子完全不透光的状态,不存在电压控制精度的问题)

...

看来你也没有看懂我说的。
1:三枪的ANSI对比度是150:1(最多),但真实ON/OFF对比度是20000:1,你怎么给我解释你前面所说的ANSI对比度随ON/OFF线性增长?

2:看来你没有认真的看我贴出的帖子。所谓HD1 ANSI对比度有800多是没能看懂原文的误解。800多的时候是把黑色测量区域移动到和高亮白色比较远的距离来测试的,根本不是实际的ANSI对比。实际就是公认的250:1

3:HD1不会为了专门的测试ANSI对比度而开发一个特别的结构的。和三枪一样。有透过,就有干扰。

[ 本帖最后由 AIF824 于 2007-7-26 13:55 编辑 ]
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发表于 2007-7-26 13:52 | 显示全部楼层
原帖由 zjxs 于 2007-7-26 13:38 发表



另外必须纠正一个概念上的错误!

HTPS 的光利用率低并不是因为它的透过方式决定,而是因为其开口率低导致,因为它控制电压变化的继电器是做在相邻两个像素之间,大大占用了HTPS有效的光可利用面积。所 ...

你的这些引用报告没法解释ANSI对比度在DMD和LCOS上的区别,大家在说明书上很早就见过了。
我也不想再继续解释一些公认的评判结果。

[ 本帖最后由 AIF824 于 2007-7-26 13:54 编辑 ]
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发表于 2007-7-26 14:04 | 显示全部楼层
原帖由 AIF824 于 2007-7-26 13:48 发表

看来你也没有看懂我说的。
1:三枪的ANSI对比度是150:1(最多),但真实ON/OFF对比度是20000:1,你怎么给我解释你前面所说的ANSI对比度随ON/OFF线性增长?

2:看来你没有认真的看我贴出的帖子。所谓HD1 ...



LCoS的干扰不就是液晶分子偏转角度的控制所产生的吗???

我上面说了, ANSI对比度是一个画面上产生多个明、暗区域。而不是一个画面要么全黑、要么全白。

那这时候电压模拟量就必须有多组大小不同的变化来控制多个区域的液晶分子偏转的角度(而模拟的电压控制量很难完全精确的控制多组不同变化明暗区域的液晶分子偏转角度。这必然影响了 ANSI对比度)


另一个原因,垂直液晶分子解决的是液晶分子全黑的自然状态,但全白状态依然要加电压来控制,实际上这时候在全白状态下,表、底层的液晶分子的角度偏转依然有偏差。

所以LCoS的 ANSI 测试中,画面亮场都不如 DLP亮。这也是影响ANSI对比度的LCoS的一个技术难点。


CRT的原因是因为阳极电压变高,所造成的整个银幕显示变亮所导致的 ANSI 对比度低的原因。

[ 本帖最后由 zjxs 于 2007-7-26 14:10 编辑 ]
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发表于 2007-7-26 14:06 | 显示全部楼层
原帖由 zjxs 于 2007-7-26 13:45 发表

散射(漫反射)等现象在 DLP上更严重。

而且 DMD的像素(镜片)和间隔做得过小,更容易产生漫反射(这也是导致 DMD芯片很难像 LCoS那样以小于 0.8英吋的表面积来做到 1080p解像水平的原因)


DMD的很多固有缺陷是其 MEMS的微机械结构所决定的,很难通过技术手段提高!

比如:其像素(镜片)每个很难做小到低于 10微米,间隔很难做到小于 1微米!(而 LCoS则非常容易能将像素尺寸做到 7微米以下,间隔只有 0.35微米)。


这段话我觉得有些不解.像素(镜片)和间隔做得过小更容易产生漫反射? 那目前明显是LCOS做得更小,岂不是漫反射更严重?

我们知道DMD芯片上的像素就是一个个小镜子.像素亮,是镜子将光反射出镜头.暗是镜子将光反射到镜头外的光线吸收区域.DMD芯片只负责反射光线,不需要考虑吸收光线.只要将微镜面做得够亮够平,就可以将光线的反射效率达到最高,最大可能接近无损.LCOS芯片除了要应对光反射,还要应对光吸收.这一点上DMD的优势还是非常明显的.

还有关于光线反射率的数据,DMD只有60%不到? 这个数据请问是从什么资料中查到的,德州仪器的网站上都是些05年的古籍,数据也语焉不详.再好的技术被一家垄断也会成为垃圾啊...
希望DMD不要沦落到这样.
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