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SONY发布新机:A7R II相信很多人都知道了,这机器我不想多说,最大的亮点是这机器的心脏:全球第一枚“背照式全画幅感光器”。
通常来说,背照式感光器只适合用于制造手机摄像头上的1/6---1/3英寸的小型感光器,而工艺上很难制造出大于1英寸的产品(全画幅【36 x 24mm】就更不用说了)。
尤其是SONY的背照式工艺,因为全世界只有SONY采用“绝缘体上硅”工艺进行BSI(背照)感光器的开发。其它有背照式感光器工艺的厂家(如“三母猩”和OmniVison等),它们均采用“普通硅”(在制造成本上大约只有SONY的“绝缘体上硅”工艺的1/3左右)。
原因是,SONY背照式是需要将感光器的硅底衬研磨到普通感光器底衬的1/50以上超薄状态,再在其上进行电路的机械加工,而其它感光器厂家的BSI,都是避开BSI工艺中最难的研磨低衬的工序,而采用普通硅进行装成。因为底衬厚度均远远大于SONY的BSI,所以无论是动态范围、灵敏度等最重要的性能上均无法和SONY的BSI相提并论。
而我们知道硅片的底衬越薄,它的表面积如果做得越大的话,所能承载的机械强度就越差,这就好比一块铁皮,如果铁皮越薄,面积越大,那么其稍微承载压力就马上变形弯曲的道理是一样的(反之,铁皮薄了,但如果面积相对小,那么其承载压力后,不容易变形弯曲)。
而对背照式感光器来说是一样的,底衬越薄,面积越大,它在其上进行机械加工时,相对小尺寸的感光器,在工艺难度上要高出千百倍(稍有不慎,底衬就会变形破裂)!
以前用绝缘体上硅的底衬研磨技术,制造出全画幅的背照式感光器那是不可想象的,“三母猩”之前推出的NX1使用了APS-C的背照CMOS,但那和SONY的不可同日而语,因为三母猩的“背照式”是基于“普通硅”工艺的(它对硅片的研磨工艺要求要低的多),同时那个尺寸也只有APS-C而已,从面积来说,要比全画幅的小2.25倍,所以自然技术工艺难度要低得多!
SONY使用绝缘体上硅工艺,成功将“背照式”技术用于了全画幅CMOS芯片,这是CMOS的技术工艺的一大壮举!现在就等着后续SONY发布全球第一片以人眼曲率量产的“曲面感光器”吧! 预计,RX1R的第二代全幅固定镜头相机上,将会采用下一个黑科技技术:全幅曲面感光器!!! |
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