感光器第一块黑科技量产品诞生，全球第一片背面照射型（BSI）全幅感光器由SONY发布！

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这个算是笔记复杂的吧

zjxs

風語者 发表于 2015-6-15 08:40
索尼以前说过大底没必要用背照

那是官方辞令，大尺寸感光器的背照式对感光度的提升可能不算多大，但对信号处理的优化提升是开创性的！

要优化处理信号，尤其是高速信号，决定因素是数字处理电路的规模（也就是晶体管数量），正面感光的器件，布线和元件都与感光面同面，越大规模的晶体管，占去的有效感光面积越大，现在背照式了，你晶体管与感光面分开了，你想要大多规模的处理电路都行。A7R II 最大的提升是什么，数据传输量比3600万像素的CMOS高了惊人的3.5倍（而像素是多了600万，依然比低像素的要高出3.5倍啊）！这就是背照式最大的好处，数据处理能力大幅度提高。实际上能实现超采的4K下变换也是得益于此。

当然最根本的解决数据处理规模的办法是“积层型”（也就是数字电路是做在感光层的下方，二者是完全独立的，可以用不同工艺进行制程），而此次共同发布的RX100M4 和 RX10 II都是使用全新的1英寸积层型CMOS， 模拟感光层依然使用180nm工艺，但数字电路层因为和模拟感光层分开独立，则全部外包给“台积电”去做，用了28nm工艺，大幅增加了晶体管数量，使得如此小巧的RX 100 IV 竟然能进行：1,824 × 1,026/240fps 的帧率输出（也就是接近1080p的情况下，实现240帧的超级慢动作；这在1英寸及以上的感光器相机中是绝无仅有的），这就是积层型的巨大贡献！

之前SONY说大尺寸不需要背照，主要指感光度性能提升有限，实际也是一种外交辞令，因为我前面说过了，SONY的背照式是基于“绝缘体上硅”工艺，要将硅底衬打磨到普通感光器的1/50厚度以上，对工艺要求（尤其是机械性能的可靠性要求）是在太高了，尺寸做大了，在技术上很难做出来，只是现在SONY在技术上突破了，已经可以做成全幅尺寸了！

zjxs

SONY的“积层型”感光器今后也一定会有全幅甚至中幅的版本，积层型的性能优势就不不用说了，在成本上的制造优势更明显，为何？

对于传统的感光面的模拟层来说，180nm工艺绰绰有余，但真正需要高成本生产线的是数字控制电路，这需要最新的28甚至14nm工艺来提升晶体管的数量，增加运算速度，而SONY自己不需要为数字电路的制造设备投入一分钱，把数字电路全部包给其它的厂家去做，自己只要做好感光器的核心：光线收集的感光层就行了！

原因就是因为“积层型”的感光层和数字层是上下“堆叠分开”的！可以分开来做（而其它感光器就不行，因为它们的模拟感光层和数字层是在同一平面，必须采用相同的工艺，这显然对模拟感光层来说，投资是重复的浪费！）{:soso_e113:}

ywxsz88

我业余玩的，只希望见到越来越小的强悍机器！

蓝翎

zjxs 发表于 2015-6-15 12:58
SONY的“积层型”感光器今后也一定会有全幅甚至中幅的版本，积层型的性能优势就不不用说了，在成本上的制造 ...

听说索尼要出激光投影机啦。有啥消息

多多透露下。