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发表于 2025-10-13 15:48
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本帖最后由 ccuser 于 2025-10-13 15:55 编辑
仨仨 发表于 2025-10-13 14:04
其实厂家怎么写的我并不关心,只是为自己实际的听感找到了依据而已,厂家的操作规范应该不是靠的一耳朵。
很好,不同的说法总能开阔眼界。以下是AI给出的预热时间长的功放及原因。ab类、pass占比很大,其他的好在还在认知以内。感谢兄台指点,长见识了。
PassX600.8 ≈1小时 高工作偏压、AB类单声道、超大电源滤波电容、功率管热阻大
PassX500.5 ≈45分钟1小时 与 X600.8 类似的高偏置电路,只是功率稍低,电容容量略小
PassX1000(单声道 1000W) ≈1小时 超大功率输出、使用多组并联 MOSFET,热平衡时间长
PassX200(单声道 200W) ≈30分钟45分钟 仍采用高偏置 AB类,电容体积较大,需要一定时间热稳定
McIntoshMC2.5(真空管前级) ≈30秒2分钟(管子预热)+ ≈10 15分钟(电源滤波) 真空管需要加热,且内部大容量电解电容需要充电到额定容量
Mark LevinsonML560(AB类功放) ≈30秒1分钟(偏置热平衡)+ ≈5 10分钟(电容充电) 高功率 MOSFET 与大电容组合作,热漂移需时间
AccuphaseE800(AB类) ≈1分钟(偏置)+ ≈10 20分钟(电容) 采用高电流偏置,电源滤波电容容量大
ParasoundHaloA 21+(AB类) ≈30秒2分钟(偏置)+ ≈10 15分钟(电容) 大功率 MOSFET 与高容量电源滤波器组合 |
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