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【IMID 2005】三星40英寸LED背照灯液晶耗电量减小20%

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发表于 2005-7-31 12:03 | 显示全部楼层
原帖由 永恒 于 2005-7-31 11:50 发表


你如何证明PHILIPS的专业显示器不是用的IPS技术?请用链接证明!EIZO和饭山的确都用了IPS技术,可那是日立的技术,而且在它们的网站上都有详细的医用液晶显示器介绍,产品也相当多!而PHILIPS的官网上有多少? ...


再和你这SB说一次!如果你找的到PHILIPS用IPS的专业医疗和航天级显示器就找出来!!不管他网站上有多少至少你半个IPS的也找不到! [s:97] [s:97]
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发表于 2005-7-31 12:13 | 显示全部楼层
原帖由 philipsmai 于 2005-7-31 12:03 发表


再和你这SB说一次!如果你找的到PHILIPS用IPS的专业医疗和航天级显示器就找出来!!不管他网站上有多少至少你半个IPS的也找不到! [s:97] [s:97]
[s:6] [s:6]


你才是大SB!你这个所谓的飞利普专家都找不到证明其医用显示器是用LTPS的证明链接!相反的,日本的EIZO和IIYAMA的医用液晶显示器都用了IPS和AVS技术!就是在飞利普的官网上也根本没有什么医用液晶显示器的介绍!一切全是你在胡说八道!
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发表于 2005-7-31 12:22 | 显示全部楼层
技術專文  
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[技術專文] LTPS TFT-LCD技術綜述 (光電科技 No.01, 2005/4)
本文綜述了當前製作LTPS TFT-LCD最重要步驟低溫多晶矽的各種製備方法,簡要介紹了各方法的基本原理,特別是對已經產業化的準分子雷射退火ELA和Ni誘導固相結晶技術CGS進行了概述。認為LTPS TFT-LCD技術將是未來顯示器的發展趨勢。
p-Si材料的低溫生長技術是研究的焦點。其中最有效的方法有兩個,一是對電漿增強化學氣相沉積(PECVD)方法製作的a-Si材料進行準分子雷射退火形成p-Si材料,二是用Ni金屬進行金屬誘導固相結晶技術製作得到連續粒界結晶矽。
傳統的非晶矽材料(a-Si)的電子遷移率只有0.5 cm2/V S,而低溫多晶矽材料(LTPS)的電子遷移率可達50~200 cm2/V‧S,因此與傳統的非晶矽薄膜電晶體液晶顯示器(a-Si TFT-LCD)相比,低溫多晶矽TFT-LCD具有更高解析度、反應速度快、亮度高(開口率高)等優點,同時由於可以將周邊驅動電路同時製作在玻璃基板上,達到在玻璃上集成系統(SOG)的目標,所以能夠節省空間和成本。此外,LTPS技術又是發展主動式有機發光二極體(AM-OLED)的技術平臺,因此LTPS技術的發展受到了廣泛的重視。本文主要講述LTPS在TFT-LCD產業中的應用及進展狀況。

製作p-Si材料的各種方法
目前,p-Si材料的製備方法很多,其中主要包括低壓化學氣相沉積(LP-CVD)、小晶粒p-Si雷射退火、區熔再結晶方法即微區熔煉、低壓分子束磊晶(LP-MBD),a-Si準分子雷射退火(ELA)及固相晶化法(SPC)等方法。表一為各種方法所製作的p-Si材料的特性比較。
由於p-Si材料的晶粒尺寸與薄膜的製備溫度有關,而晶粒尺寸的大小又直接影響到p-Si薄膜的載流子遷移率。因此,上述方法中大部分屬於高溫生成製程,隨著溫度的升高,薄膜的晶粒尺寸通常會增大,晶粒與晶粒之間的缺陷會減少,載流子遷移率會大幅度提高。從表一中我們可以看出,幾種高溫生成製程均具有較大的晶粒尺寸及載流子遷移率。但是高溫生成要求襯底使用石英或其他耐高溫玻璃,這使其製造成本增加,不利於p-Si材料的實用化。因此降低p-Si材料的生成溫度是p-Si TFT-LCD發展過程中的一個關鍵問題。
目前,p-Si材料的低溫生成技術是人們研究的熱點。其中最有效的方法有兩個,一是對電漿增強化學氣相沉積(PECVD)方法製作的a-Si材料進行準分子雷射退火形成p-Si材料,二是用Ni金屬進行金屬誘導固相結晶技術製備得到連續粒界結晶矽(CGS)技術,以下分別對這二種方法進行介紹。

準分子雷射退火技術(ELA)
ELA製備p-Si材料的溫度通常低於450℃,用普通TFT玻璃即可。這種方法獲得的p-Si材料的特性完全滿足圖元用TFT開關器件及周邊驅動用TFT器件性能的要求。常用的準分子雷射器如表二所示。
因為XeCl準分子雷射器具有較好的氣體穩定性和在波長30 8nm處a-Si薄膜具有高吸收係數(~106 cm-1)的優點。所以很多廠家採用XeCl準分子雷射器進行生產。最初採用點狀的雷射光束退火a-Si薄膜,速度很慢,且得到的p-Si材料缺陷很多。如果將雷射光束改變為線狀,則可以使雷射掃描過程變得簡單。後來採用了如下的一個簡單光學系統就實現了這種想法,見圖一。該發明由張宏勇博士首先想到,但是當時他不知道如何實現將點狀雷射轉化為線形雷射,因此找到了當時也在日本的中科院上海光機所的陳緒山,陳緒山就提議採用圖一中的簡單光路實現線形雷射。由於當時沒有申請專利,因此這項完全由中國人發明的技術在全世界被免費無償使用,不得不說這是中國科技發展史上的一大損失。
圖二為採用線形雷射結晶法和以往工作方式的比較圖。
採用線性雷射結晶技術得到的p-Si晶粒均勻,操作方便,使LTPS技術真正實現了工業化。目前絕大部分廠家採用此種結晶技術,其中東芝走在最前面。東芝已經可以投產14.1英寸及15英寸LTPS,突破過去LTPS局限在中小尺寸的瓶頸。東芝與松下在新加坡興建的全球第一條第4.5 G LTPS生產線,玻璃基板為730 mm×920 mm尺寸,月產可達5萬片,可有效提供筆記型電腦、液晶顯示器所需。
臺灣統寶光電的LTPS技術也很發達,目前有一條3.5 G的生產線。同時統寶積極開發AM OLED技術,繼先前開發出電壓驅動主動式有機發光顯示器後,已成功開發出2.2英寸主動式全彩有機發光顯示器(AMOLED)模組。
當然,ELA結晶方法也有需要改進的地方。一方面晶粒尺寸還不夠大,另一方面因為一片玻璃基板通常需要雷射掃描20次左右才能形成良好的結晶。為了提高生產效率,現在有採用多路雷射同時掃描的方式。也可以採用矩形光束的方法,使雷射能量均勻集中形成一個矩形光束,對基板進行有選擇的掃描。

CGS技術
固相晶化(SPC)法的特點是非晶固體發生晶化的溫度低於其熔融後結晶的溫度。主要有三種改進的固相晶化法,即部分摻雜法、採用織構襯底和金屬誘導固相晶化(MISPC)法。其中在TFT-LCD產業中真正已經實現了產業化的是摻雜金屬Ni的金屬誘導固相晶化法。
金屬誘導固相晶化(MISPC)法是在沉積a-Si薄膜之前或之後,用熱蒸發鍍上一層金屬(Al、Ni等)膜,然後再用熱處理的方法使其轉化為多晶矽薄膜。MISPC P-Si薄膜的晶化時間、微結構和晶粒的大小與用PECVD沉積的a-Si的沉積溫度、金屬層厚度以及襯底的塗覆狀態無關。因此,MISPC對非晶薄膜的原始狀態要求不高,可以很大降低薄膜沉積的製程條件。然而,它們強烈依賴於所選用的金屬種類和退火溫度。對於發生低溫晶化的原因,比較一致的解釋是:在a-Si與誘導金屬層介面處,金屬原子擴散到非晶矽中,形成間隙原子,使Si-Si共價鍵轉變為金屬鍵,極大地降低了激發能;介面處的這種矽化物加速了金屬和Si原子的相互擴散,導致金屬-Si混合層的形成,在較低溫度下,矽在誘導金屬中的固溶度幾乎可以忽略,因此金屬中的超飽和的矽以核的形式在a-Si和金屬的介面析出;這些固體沉澱物逐漸長大,最後形成了晶體矽和鋁的混合物。但是,MISPC法一個很致命的缺點就是形成的多晶矽中含有金屬原子,這很大程度破壞了半導體薄膜的性能,甚至使發生短路現象。目前可以通過控制製程條件,使金屬膜最後在頂層析出,並用蝕刻技術把金屬膜去掉,從而在玻璃上獲得了連續的多晶矽層。
目前,只有Ni金屬能用於製備TFT-LCD工業中的LTPS,其他金屬都不合適。Ni金屬誘導固相結晶技術形成的連續粒界結晶矽通常稱之為CGS。由於CGS得到的晶粒較大且比較均勻,所以得到的電子遷移率更大,實際上CGS技術由留日博士張宏勇在一次意外的實驗中發現,最後該技術由半導體能源研究所轉讓給夏普,並且夏普公司將該技術實現產業化。當初發現這個原理時認為該發明具有重要意義,所以CGS技術在被發現5年以後才公開發表。表三說明了CGS技術的誕生與發展狀況。利用CGS技術,可以將CPU直接內藏在玻璃基板上,真正實現薄板電腦(Computer on Glass)。目前已經實現將8位CPU集成在玻璃基板上,但如果想要製造具有更高性能的薄板電腦,則必須製備具有更高電子遷移率的p-Si材料,或者直接將單晶矽材料複合到玻璃基板上,相關研究都在進行中。
CGS技術的專利權已經轉讓給夏普,所以目前只有夏普採用CGS技術生產LTPS TFT-LCD,表三為夏普的CGS生產線發展狀況。
夏普2003年10月29日發佈導入三重第3工廠第2期液晶生產線的消息。新生產線的基板玻璃尺寸與第1期相同,為730 mm×920 mm。計畫2004年3月開始運行,生產能力(2英寸型面板換算)為月產570萬台。因此,包括第1期生產線的第3工廠系統液晶生產能力,從400萬台向970萬台倍增。包括天理工廠,整個公司的系統液晶生產能力從650萬台向1220萬台擴大。

總結
由a-Si TFT-LCD向LTPS TFT-LCD的發展是技術發展的趨勢。LTPS TFT-LCD的優勢與應用潛力使其在現在和將來都有很大的發展空間。該技術的發展必將有力地促進TFT-LCD技術的整體發展,同時也會促使更多新型高性能的以LTPS為技術平台的顯示器件的出現,而這些新型元件的應用也必將會大大方便人們未來的工作與生活。CS & FPD
[1] http://www.sharp.co.jp/corporate/news/031029-1.html

作者
姚華文 博士,1997年9月~2000年3月,於浙江大學材料科學與工程系畢業,獲得碩士學位,2000年3月~2003年3月在中科院上海光機所攻讀博士學位,研究方向為高密度全息光存儲材料。2003年3月進入上海華嘉光電技術有限公司,從事LTPS TFT研究,現為研發中心副主任兼總工程師助理。
  
http://www.arconet.com.tw/portab ... ch_1.asp?idxid=3719

请注意红色字体部分,原来LTPS最领先的日本东芝都只能生产小面板,而医用的液晶显示器则一般是在20寸左右!

[ 本帖最后由 永恒 于 2005-7-31 12:25 编辑 ]
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发表于 2005-7-31 12:47 | 显示全部楼层
LTPS的液晶面板也并不就意味着多高级,日本东芝的笔记本电脑A50这个低档系列,其液晶屏用的就是LTPS!

“在这一点上新A50也有过人之处,因为Toshiba是目前少数具备量产大尺寸低温多晶硅(LTPS) TFT面板能力的厂商之一,低温多晶硅屏幕本来就是由Toshiba首先研制成功,目前产品在全球也占有大多数的份额。”

http://www.pc3w.com/2004/9-22/2004992726.html

原来LTPS技术也是由日本东芝发明的说!

[ 本帖最后由 永恒 于 2005-7-31 12:52 编辑 ]
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发表于 2005-7-31 14:55 | 显示全部楼层
原帖由 永恒 于 2005-7-31 11:50 发表


你如何证明PHILIPS的专业显示器不是用的IPS技术?请用链接证明!EIZO和饭山的确都用了技术,可那是日立的技术,而且在它们的网站上都有详细的医用液晶显示器介绍,产品也相当多!而PHILIPS的官网上有多少? ...

EIZO的RadiForce还可以,Iiyama的医用LCD Monitor基本不如流,也就不要吹啦!
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发表于 2005-7-31 15:01 | 显示全部楼层
日本在自身发光半导体器件方面技术不咋的!
权威的《Nature》上面的报道俺就不说啦,即使在著名的材料专业杂志《Advanced Materials》,俺也很少能看到来自日本的最新研究成果!
即使哪天Toshiba、Hitachi能搞出个比100寸OLED电视,也是偷人家的技术(这也是中国和日本在高端研究方面比较黑暗的共性)!
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原帖由 deepwater33 于 2005-7-31 14:55 发表

EIZO的RadiForce还可以,Iiyama的医用LCD Monitor基本不如流,也就不要吹啦!


没有谁吹,有兴趣可以到IIYAMA的网站去看看,有比较详尽的相关产品和资料。请问PHILIPS的医用液晶显示器如何?是否采用了LTPS面板,在其官网上没有什么相关产品,也没有详细介绍!
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原帖由 deepwater33 于 2005-7-31 15:01 发表
日本在自身发光半导体器件方面技术不咋的!
权威的《Nature》上面的报道俺就不说啦,即使在著名的材料专业杂志《Advanced Materials》,俺也很少能看到来自日本的最新研究成果!
即使哪天Toshiba、Hitachi能搞出 ...


LCD都还没有讨论清楚,OLED又来了,先省省!
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发表于 2005-7-31 20:09 | 显示全部楼层
原帖由 永恒 于 2005-7-31 12:22 发表
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[技術專文] LTPS TFT-LCD技術綜述 (光電科技 No.01, 2005/4)
本文綜述了當前製作LTPS TFT-LCD最重要步驟低溫多晶矽的各種製備 ...


靠!看来小日本比飞利浦还能吹,链接就是证据,哈哈。 [s:97] [s:97] [s:97]
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[技術專文] LTPS TFT-LCD技術綜述 (光電科技 No.01, 2005/4)
本文綜述了當前製作LTPS TFT-LCD最重要步驟低溫多晶矽的各種製備方法,簡要介紹了各方法的基本原理,特別是對已經產業化的準分子雷射退火ELA和Ni誘導固相結晶技術CGS進行了概述。認為LTPS TFT-LCD技術將是未來顯示器的發展趨勢。
p-Si材料的低溫生長技術是研究的焦點。其中最有效的方法有兩個,一是對電漿增強化學氣相沉積(PECVD)方法製作的a-Si材料進行準分子雷射退火形成p-Si材料,二是用Ni金屬進行金屬誘導固相結晶技術製作得到連續粒界結晶矽。
傳統的非晶矽材料(a-Si)的電子遷移率只有0.5 cm2/V S,而低溫多晶矽材料(LTPS)的電子遷移率可達50~200 cm2/V‧S,因此與傳統的非晶矽薄膜電晶體液晶顯示器(a-Si TFT-LCD)相比,低溫多晶矽TFT-LCD具有更高解析度、反應速度快、亮度高(開口率高)等優點,同時由於可以將周邊驅動電路同時製作在玻璃基板上,達到在玻璃上集成系統(SOG)的目標,所以能夠節省空間和成本。此外,LTPS技術又是發展主動式有機發光二極體(AM-OLED)的技術平臺,因此LTPS技術的發展受到了廣泛的重視。本文主要講述LTPS在TFT-LCD產業中的應用及進展狀況。

製作p-Si材料的各種方法
目前,p-Si材料的製備方法很多,其中主要包括低壓化學氣相沉積(LP-CVD)、小晶粒p-Si雷射退火、區熔再結晶方法即微區熔煉、低壓分子束磊晶(LP-MBD),a-Si準分子雷射退火(ELA)及固相晶化法(SPC)等方法。表一為各種方法所製作的p-Si材料的特性比較。
由於p-Si材料的晶粒尺寸與薄膜的製備溫度有關,而晶粒尺寸的大小又直接影響到p-Si薄膜的載流子遷移率。因此,上述方法中大部分屬於高溫生成製程,隨著溫度的升高,薄膜的晶粒尺寸通常會增大,晶粒與晶粒之間的缺陷會減少,載流子遷移率會大幅度提高。從表一中我們可以看出,幾種高溫生成製程均具有較大的晶粒尺寸及載流子遷移率。但是高溫生成要求襯底使用石英或其他耐高溫玻璃,這使其製造成本增加,不利於p-Si材料的實用化。因此降低p-Si材料的生成溫度是p-Si TFT-LCD發展過程中的一個關鍵問題。
目前,p-Si材料的低溫生成技術是人們研究的熱點。其中最有效的方法有兩個,一是對電漿增強化學氣相沉積(PECVD)方法製作的a-Si材料進行準分子雷射退火形成p-Si材料,二是用Ni金屬進行金屬誘導固相結晶技術製備得到連續粒界結晶矽(CGS)技術,以下分別對這二種方法進行介紹。

準分子雷射退火技術(ELA)
ELA製備p-Si材料的溫度通常低於450℃,用普通TFT玻璃即可。這種方法獲得的p-Si材料的特性完全滿足圖元用TFT開關器件及周邊驅動用TFT器件性能的要求。常用的準分子雷射器如表二所示。
因為XeCl準分子雷射器具有較好的氣體穩定性和在波長30 8nm處a-Si薄膜具有高吸收係數(~106 cm-1)的優點。所以很多廠家採用XeCl準分子雷射器進行生產。最初採用點狀的雷射光束退火a-Si薄膜,速度很慢,且得到的p-Si材料缺陷很多。如果將雷射光束改變為線狀,則可以使雷射掃描過程變得簡單。後來採用了如下的一個簡單光學系統就實現了這種想法,見圖一。該發明由張宏勇博士首先想到,但是當時他不知道如何實現將點狀雷射轉化為線形雷射,因此找到了當時也在日本的中科院上海光機所的陳緒山,陳緒山就提議採用圖一中的簡單光路實現線形雷射。由於當時沒有申請專利,因此這項完全由中國人發明的技術在全世界被免費無償使用,不得不說這是中國科技發展史上的一大損失。
圖二為採用線形雷射結晶法和以往工作方式的比較圖。
採用線性雷射結晶技術得到的p-Si晶粒均勻,操作方便,使LTPS技術真正實現了工業化。目前絕大部分廠家採用此種結晶技術,其中東芝走在最前面。東芝已經可以投產14.1英寸及15英寸LTPS,突破過去LTPS局限在中小尺寸的瓶頸。東芝與松下在新加坡興建的全球第一條第4.5 G LTPS生產線,玻璃基板為730 mm×920 mm尺寸,月產可達5萬片,可有效提供筆記型電腦、液晶顯示器所需。
臺灣統寶光電的LTPS技術也很發達,目前有一條3.5 G的生產線。同時統寶積極開發AM OLED技術,繼先前開發出電壓驅動主動式有機發光顯示器後,已成功開發出2.2英寸主動式全彩有機發光顯示器(AMOLED)模組。
當然,ELA結晶方法也有需要改進的地方。一方面晶粒尺寸還不夠大,另一方面因為一片玻璃基板通常需要雷射掃描20次左右才能形成良好的結晶。為了提高生產效率,現在有採用多路雷射同時掃描的方式。也可以採用矩形光束的方法,使雷射能量均勻集中形成一個矩形光束,對基板進行有選擇的掃描。

CGS技術
固相晶化(SPC)法的特點是非晶固體發生晶化的溫度低於其熔融後結晶的溫度。主要有三種改進的固相晶化法,即部分摻雜法、採用織構襯底和金屬誘導固相晶化(MISPC)法。其中在TFT-LCD產業中真正已經實現了產業化的是摻雜金屬Ni的金屬誘導固相晶化法。
金屬誘導固相晶化(MISPC)法是在沉積a-Si薄膜之前或之後,用熱蒸發鍍上一層金屬(Al、Ni等)膜,然後再用熱處理的方法使其轉化為多晶矽薄膜。MISPC P-Si薄膜的晶化時間、微結構和晶粒的大小與用PECVD沉積的a-Si的沉積溫度、金屬層厚度以及襯底的塗覆狀態無關。因此,MISPC對非晶薄膜的原始狀態要求不高,可以很大降低薄膜沉積的製程條件。然而,它們強烈依賴於所選用的金屬種類和退火溫度。對於發生低溫晶化的原因,比較一致的解釋是:在a-Si與誘導金屬層介面處,金屬原子擴散到非晶矽中,形成間隙原子,使Si-Si共價鍵轉變為金屬鍵,極大地降低了激發能;介面處的這種矽化物加速了金屬和Si原子的相互擴散,導致金屬-Si混合層的形成,在較低溫度下,矽在誘導金屬中的固溶度幾乎可以忽略,因此金屬中的超飽和的矽以核的形式在a-Si和金屬的介面析出;這些固體沉澱物逐漸長大,最後形成了晶體矽和鋁的混合物。但是,MISPC法一個很致命的缺點就是形成的多晶矽中含有金屬原子,這很大程度破壞了半導體薄膜的性能,甚至使發生短路現象。目前可以通過控制製程條件,使金屬膜最後在頂層析出,並用蝕刻技術把金屬膜去掉,從而在玻璃上獲得了連續的多晶矽層。
目前,只有Ni金屬能用於製備TFT-LCD工業中的LTPS,其他金屬都不合適。Ni金屬誘導固相結晶技術形成的連續粒界結晶矽通常稱之為CGS。由於CGS得到的晶粒較大且比較均勻,所以得到的電子遷移率更大,實際上CGS技術由留日博士張宏勇在一次意外的實驗中發現,最後該技術由半導體能源研究所轉讓給夏普,並且夏普公司將該技術實現產業化。當初發現這個原理時認為該發明具有重要意義,所以CGS技術在被發現5年以後才公開發表。表三說明了CGS技術的誕生與發展狀況。利用CGS技術,可以將CPU直接內藏在玻璃基板上,真正實現薄板電腦(Computer on Glass)。目前已經實現將8位CPU集成在玻璃基板上,但如果想要製造具有更高性能的薄板電腦,則必須製備具有更高電子遷移率的p-Si材料,或者直接將單晶矽材料複合到玻璃基板上,相關研究都在進行中。
CGS技術的專利權已經轉讓給夏普,所以目前只有夏普採用CGS技術生產LTPS TFT-LCD,表三為夏普的CGS生產線發展狀況。
夏普2003年10月29日發佈導入三重第3工廠第2期液晶生產線的消息。新生產線的基板玻璃尺寸與第1期相同,為730 mm×920 mm。計畫2004年3月開始運行,生產能力(2英寸型面板換算)為月產570萬台。因此,包括第1期生產線的第3工廠系統液晶生產能力,從400萬台向970萬台倍增。包括天理工廠,整個公司的系統液晶生產能力從650萬台向1220萬台擴大。

總結
由a-Si TFT-LCD向LTPS TFT-LCD的發展是技術發展的趨勢。LTPS TFT-LCD的優勢與應用潛力使其在現在和將來都有很大的發展空間。該技術的發展必將有力地促進TFT-LCD技術的整體發展,同時也會促使更多新型高性能的以LTPS為技術平台的顯示器件的出現,而這些新型元件的應用也必將會大大方便人們未來的工作與生活。CS & FPD
[1] http://www.sharp.co.jp/corporate/news/031029-1.html

作者
姚華文 博士,1997年9月~2000年3月,於浙江大學材料科學與工程系畢業,獲得碩士學位,2000年3月~2003年3月在中科院上海光機所攻讀博士學位,研究方向為高密度全息光存儲材料。2003年3月進入上海華嘉光電技術有限公司,從事LTPS TFT研究,現為研發中心副主任兼總工程師助理。
  
http://www.arconet.com.tw/portab ... ch_1.asp?idxid=3719

请注意红色字体部分,原来LTPS最领先的日本东芝都只能生产小面板,而医用的液晶显示器则一般是在20寸左右!



日狗的牛又吹破了!
[s:6] [s:6]

看清楚03年就有20寸的了!! [s:6] [s:6]

不多不少正好够医疗20寸的! [s:97]

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LTPS的液晶面板也并不就意味着多高级,日本东芝的笔记本电脑A50这个低档系列,其液晶屏用的就是LTPS!

“在这一点上新A50也有过人之处,因为Toshiba是目前少数具备量产大尺寸低温多晶硅(LTPS) TFT面板能力的厂商之一,低温多晶硅屏幕本来就是由Toshiba首先研制成功,目前产品在全球也占有大多数的份额。”

http://www.pc3w.com/2004/9-22/2004992726.html

原来LTPS技术也是由日本东芝发明的说!


日狗只会吹牛啊!而且还是个老师吹破牛皮的SB!!

低温多晶硅 LTPS是开放性技术标准!!更本不是谁发明的也不是谁的专利!!LTPS是LCD领域中的一项新技术标准!!!
[s:97] [s:97]

就好比问你非晶硅a-Si是谁发明的一样傻! [s:14] [s:14] [s:30] [s:30]
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2005-3-15
发表于 2005-7-31 22:25 | 显示全部楼层
原帖由 永恒 于 2005-7-31 15:53 发表


LCD都还没有讨论清楚,OLED又来了,先省省!


很清楚LCD PHILIPS是王者!!!不管是民用还是专业军用航空航天都是如此!! [s:6]

PHILIPS的PLED更强!!!!楼上举的那些和PHILIPS比的公司都隔P了! [s:6] [s:6]
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2005-3-21
发表于 2005-7-31 22:37 | 显示全部楼层
太空穿梭机亚特兰大号和哥伦比亚号采用了新型的“玻璃座舱”,该技术采用了飞利浦尖端的主动矩阵式液晶显示器(AMLCDs)。NASA计划将全部4架太空穿梭机座舱中的传统的阴极射线管显示器(CRT)和大量的机械测量器替换为AMLCDs,这样在不久的未来“新型座舱”的使用将大大减少飞行员的工作负担。飞利浦电子元件对于太空旅行所引起的需求并不陌生,因为它现在拥有50%以上的民用航空电子显示器市场。

航天飞机座舱!!PHILIPS太强了!!实力啊!!日狗还拿3流技术东芝和PHILIPS?? [s:6] [s:6] [s:6] [s:14] [s:14]
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2005-3-21
发表于 2005-7-31 22:43 | 显示全部楼层
看着就舒坦! [s:97] [s:97]

飞利浦移动显示系统

  飞利浦移动显示系统(MDS) 是全球领先的为移动应用提供创新的移动显示解决方案的供应商之一。凭借其超过45年的LCD技术开发经验,飞利浦MDS充分利用其在照明与集成电路(IC)设计的优势,生产兼具幕前性能(front-of-screen) 和低功耗特性的移动设备专用显示模块。利用其在显示屏领域的专长,飞利浦MDS提供更为集成的解决方案,从而帮助客户加速产品推向市场,并改善产品的性能。其为电信、汽车和航空市场的OEM厂商定制的整套显示技术,代表了整个行业的领先水平。

  飞利浦MDS不仅一直以来是公认的创新技术先锋,至今仍然在移动显示领域占据着无与伦比的领先地位。该公司提供的集成解决方案在提高质量、优化尺寸和降低功耗的同时,还确保了丰富的色彩和多媒体性能,从而使公司业务能继续保持有力和稳步的增长,同时享有很高的客户忠诚度。正是这种不懈追求卓越的努力使飞利浦MDS实现了显示屏发货量高达10亿。无敌啊! [s:6] [s:6]

  飞利浦MDS是荷兰皇家飞利浦电子集团下属的飞利浦半导体部的一部分。飞利浦MDS的全球总部设在香港,并在亚洲、美国、欧洲和拉丁美洲分别设有生产厂、销售办事处和研发机构。
  飞利浦MDS是中国第一家也是最大的一家移动显示屏制造商,在上海和深圳设有生产厂,并在上海拥有一家世界级的研发中心。通过贴近其国内外客户群,飞利浦MDS能够与移动通信制造商合作定制移动显示设备以满足他们的不同要求。随着公司将先进的彩色显示技术转让给其上海工厂,飞利浦MDS能够以极具竞争力的价格向市场大批量提供高质量的移动显示屏。飞利浦MDS在日本神户和巴西马瑙斯也设有生产厂。
  皇家飞利浦电子集团早在上个世纪 20 年代就在中国建立了业务,并于 1985 年建立了第一家合资企业。目前,它已经发展成为中国最大的工业投资商之一。2003 年在中国的总营业额超过75亿美元,累计投资额超过 34 亿美元,在中国的国际采购总额为38 亿美元。2002年,因其营业额和出口创汇额在全国外商投资企业中双双排名第一,飞利浦(中国)公司获得了中国外商投资企业协会颁发的“2002年度双高企业特殊贡献奖”。

  主要成就
  • 全球显示屏发货量超过10亿;
  • 在电信显示屏领域处于世界领先地位,市场占有率达26%:平均每4部手机中就有1部采用飞利浦MDS的技术;
  • 中国第一家也是最大的一家移动显示屏国际制造商,在上海和深圳均设有生产厂,并在上海建立了世界级的研发中心;
  • 汽车行业的汽车信息娱乐和导航显示屏市场的全球领先者;
  • 民用及军用飞机(包括NASA航天飞行器和国际空间站)的座舱显示屏的主要供应商;
  • 开发新兴技术与实现新一代移动显示解决方案的先锋。

  继往开来
  飞利浦MDS秉承其悠久的历史和在技术创新领域的领先地位,向客户提供广泛而先进的移动显示技术解决方案。在性能、成本、可靠性及尺寸等革新显示屏的技术领域,飞利浦MDS一直是创新技术先锋,同时它还走在开发新兴技术以实现彩色和多媒体应用的最前沿。根据预计,移动通信市场的市值在未来4年内将增加一倍,飞利浦MDS凭借其贴近客户、灵活性和不断创新的企业理念,将成为移动显示屏领域的领头羊。

  飞利浦MDS的战略重点是贴近客户,实现领先的产品和技术与完美经营的最佳统一,从而在全球移动显示屏行业成为客户的首选。

  专长领域
  电信:
  自第一部手机问世以来,显示屏对于最终用户来说一直是一个重要组件。为了能显示越来越多的信息内容,LCD已经从简单的单行、7段器件发展为高清晰度、色彩层次丰富的彩屏。成像、流动视频、互动游戏,特别是色彩显示等应用功能正不断刺激着用户更换手机的需求,同时也为供应商创造了提供新型服务的机会。其中最近的一项创新包括LifePixTM——最完善的色彩加强解决方案,能够实现最佳亮度和色彩。这种针对游戏、汽车显示屏和移动应用等视频娱乐的新型多角度三维显示技术,能够呈现非常真实的视觉影像,同时还可与二维画面进行轻松切换。

  汽车:
  飞利浦MDS是全球领先的为汽车行业提供后座信息娱乐系统显示屏的供应商之一。从汽车前仪表板到具有一流水平的后座娱乐系统,飞利浦MDS可为汽车制造商和集成商提供高稳定性和灵活性且成本低廉的显示屏。新近的技术创新包括一项基于数码的薄膜晶体管(TFT)视频显示模块,这一模块首次实现了世界两大主要视频信号标准(NTSC和PAL)之间的自动检测和转换。

  航空:
  作为全球最大的主要航空电子显示屏制造商,飞利浦MDS的显示屏已被广泛应用于民用和军用飞机上,甚至出现在NASA的航天飞机和国际空间站。最新的创新包括定制聚合物发光二极管(PolyLED)模块,根据设计可以将该模块集成至军用与民用飞机的座舱仪器系统中。


http://www.56789.com/Info/NewsDetails.aspx?Id=6712
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发表于 2005-7-31 22:50 | 显示全部楼层
有源矩阵LCD:移动显示的未来  



自从第一部手机诞生以来,显示屏一直是决定最终用户满意度的关键因素。移动设备的未来应用在很大程度上也取决于显示技术的发展。因为显示技术促成了图像、视频流和交互式游戏等应用的涌入市场,从而增大了用户更换手机的需求,也增强了手机运营商创建新服务的动力。最为重要的是,对彩色显示屏的需求刺激了整个行业的发展。显示屏不再仅仅是存储地址、查询日历和记忆电话号码的窗口,而且成为一个动态平台,为最终用户提供崭新使用体验提供了基础。

大多数移动终端应用都依赖STN-LCD技术来满足其显示要求。事实上,对于过去10年间移动电信业务的繁荣,简单的单色STN显示屏功不可没。利用简单的无源矩阵寻址方案,单色STN显示屏既非常可靠、成本又低,而且功耗也极低。随着彩色显示屏在手机中的应用,针对移动应用的有源矩阵LCD(AMLCD)发展很快。AMLCD与简单被动矩阵技术相比有许多优点,因为AMLCD可提供增强的图像性能,特别是对于发展迅速的图像和游戏应用。

与用来生产大尺寸计算机和电视显示屏的技术不同,针对移动应用开发的AMLCD是高度通用的定制化的显示器件。随着服务供应商提供的移动服务和新应用越来越多,有源矩阵LCD在手机中的应用将会在全球大众市场中继续普及,而且到2007年以后还将进入低端手机和移动设备市场。飞利浦移动显示系统公司自从1990年代中期就致力于开发移动应用专用的AMLCD解决方案,拥有包括非晶硅(a-Si)TFT和低温多晶硅(LTPS)TFT在内的全面AMLCD技术,目前我们非晶硅显示屏的销量占全球AMLCD显示屏销量的90%以上。 无敌啊! [s:6] [s:6]
低温多晶硅技术

LTPS是一项快速发展的新兴技术,它有如下优点:?分辨率更高。这也是满足不断增多的先进移动应用需求所需要的。例如LTPS技术支持3D显示。

?能够以很高的电路集成度在显示屏内的玻璃基板上集成驱动器IC,从而改善成本效率。

?优化的尺寸因数,因此可在更小的手机中设计更大的显示屏。事实上,由于LTPS的支撑框和密封边缘都更小,因此可支持更好的机械设计和更好的面板制作工艺。

在目前笔记本电脑通常使用的有源矩阵液晶显示屏中,每个像素都是由直接制作在玻璃基板上的一个非晶硅晶体管来驱动的。然而,为形成一个完整的显示系统,这些非晶硅晶体管必须由标准硅集成电路驱动,后者通常利用玻璃基板上的COG(chip-on-glass)安装在显示屏上。对于小尺寸视频显示屏,这些驱动器IC的成本和尺寸变得非常突出。飞利浦移动显示系统公司开发了一种新的半导体工艺,可以在整个玻璃表面制作出一个有源层,而新的显示结构就在这一有源层中实现,这样就可以在这一有源层中实现这些驱动器IC,而不必占用额外的空间。

在低温多晶硅的制作过程中,首先是利用目前LCD行业中常见的生产技术将非晶硅覆盖在大尺寸玻璃基板上。然而,这种非晶硅的低载流子迁移率较低,内在稳定性差,尽管对于制造开关单个显示像素的晶体管来说是足够的,但对于处理驱动显示屏所需要的逻辑和混合信号功能却是不够的。这也是为什么目前的AMLCD显示屏需要额外的硅芯片的原因。

飞利浦开发出一种方法,可以将这层非晶硅薄膜加热到其融点以上,因此当其冷却时会结晶为多晶硅。整个过程是利用一台准分子激光器完成的,激光器可以将局部的非晶硅材料加热数纳秒的时间,同时保证该工艺中的最高温度低于玻璃衬底处理所需要的450°C温度限制。这一过程与现代CD-RW光学存储技术中所使用的再结晶现象类似。

与非晶硅相比,多晶硅中的载流子迁移率要快得多。事实上飞利浦已经证明,采用准分子激光来控制微米区域改良的技术,可将多晶硅中的载流子迁移率提高到IC生产中使用的硅材料载流子迁移率的90%左右。与非晶硅不同,多晶硅不仅仅速度更快,它还能够制作CMOS晶体管,因此IC行业目前在模拟、数字和混合信号电路设计方面所拥有的现有经验和技术都可应用于多晶硅结构。

多晶硅具有这样的潜力,可将目前生产有源矩阵LCD所需要的一切都集成在更小尺寸的器件中,从而为移动设备的美学设计和人体工学设计留下更大的自由度,并且使得组装更简单,最终的产品更健壮和更可靠。同时,多晶硅技术还可降低待机功耗。然而,与非晶硅相比,多晶硅需要更为复杂和昂贵的工艺,通常需要三个额外的掩膜步骤。尽管多晶硅的成本更高,由于它提供更高的分辨率和更多的色彩,显示面积也更大,因而将适合在一些应用中采用。

多晶硅在玻璃基板上的应用前途光明,同时它在塑料衬底上的应用前景也不错。实验结果已经表明该工艺的温度可进一步降低到275°C或更低,从而使在塑料薄膜上制作多晶硅层成为可能。这有可能为柔性显示打开一个完全崭新的世界。柔性显示可以安装在手机的曲形表面,还可以包裹在日常用品的表面,如软饮料罐上。

智能显示器

除了改善现有小尺寸AMLCD的性能价格比以外,多晶硅技术还使全新一代智能和低功耗显示器成为可能。随着致力于降低多晶硅晶体管阈值电压的研发工作取得进一步进展,此类新型显示器将可直接连接到目前主导消费电子市场的低电压、低功耗CMOS片上系统(SoC)解决方案,同时降低显示器件中集成的多晶硅电子电路的功耗。

更为复杂的多晶硅电路也开始从外围移向显示器像素结构附近。例如,利用更细线宽设计规则,可以在像素阵列的后面直接制造一个完整的帧存储结构,从而替代现有显示系统中的外部帧存储存储器。即使在显示屏中仅集成部分帧存储功能也非常有用,这意味着当显示简单静止图像时(如在移动待机模式),所有显示接口和复用电路都可关闭,从而极大地降低功耗(10倍左右)。在彩色显示屏中的每个像素后集成1位存储单元,可以提供8种颜色的显示能力。

这种显示屏的出现已近在眼前。飞利浦已经展示了一款384列(128×3RGB像素)×160行反射式彩色AMLCD,其中集成了所有行和列驱动器电路和4位ADC,同时还在像素阵列后集成了每像素一位的帧存储存储器。该款显示屏通过集成DC/DC变换器产生驱动显示屏的电压,因此采用3伏电源工作并可直接连接到3伏逻辑系统。显示具有8种颜色的静止图像时,其总功耗远远低于1mW。

OLED技术

聚合物OLED显示屏最初应用于需要小型显示屏的产品,如家用电器、便携式音频设备、手机、PDA、数字静止相机和类似应用。事实上,飞利浦成功地实现了单色PolyLED技术的工业化,采用小型PolyLED显示屏的产品已经出现在消费市场上。未来,聚合物OLED显示屏将有望走入PC显示器、电视和其他大尺寸显示应用,而飞利浦也是该领域的主要供应商之一。

与LCD相比较而言,聚合物OLED显示屏受到功耗的约束。但是,今后聚合物OLED显示屏的功耗将会接近LCD的效率。聚合物OLED可能永远也不会被采用的一个领域是需要时刻"加电"模式的应用,如在手表中的应用。

除了这些应用以外,柔性PolyLED显示器件也在研究之中,因为其超薄两层或三层三明治结构使其可制作在柔性塑料衬底上。其超薄特点还减轻了弯曲时结构中产生的应力,这使得PolyLED成为可卷曲显示屏的潜在技术选择。另一项优点是显示亮度或对比度随视角的变化很小。做为自发光器件,PolyLED还同时具有良好的日间和夜间可视性。

可以看出,很多显示技术各有其独特的优点,非常适合于特定的移动应用领域。预期在未来一段时间内,这些类型的显示技术将会共存。

作者: Anthony Slack
飞利浦移动显示系统公司(Philips MDS)高级技术总监

http://www.esmchina.com/ART_8800054060_617671.HTM
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