UID777602
威望0
金钱15223
交易诚信度0
主题106
帖子1169
注册时间2011-2-21
最后登录2017-7-29
中级会员
  
交易诚信度0
注册时间2011-2-21
|

楼主 |
发表于 2013-10-13 13:54
来自家电论坛网手机触屏版
|
显示全部楼层
本帖最后由 xbjet 于 2013-10-13 13:58 编辑
1 单晶粒:相对目前的铜材(多晶粒),它只要1-3晶粒,内部无晶界,决定其传输性能非常好
2 高纯度:目前,我们的单晶铜可以做到99.999%(5N)或99.9999%(6N)的纯度
3 低电阻:与目前其他铜材比,电阻低10%以上
4 高延伸:良好的延展性,可以压箔和拉丝,可拉成相当长度的0.1-0.018的不等的 细丝和微细丝
单晶铜与多晶铜主要技术参数对比如下:
金相组织:3个晶粒及以下,单个晶粒占75%以上
抗拉强度:降低10--20%
延伸率:提高50--80%
断面收缩率:提高200--300%
导电率:提高2--10%
氧含量:小于5ppm
氢含量:小于0.25ppm
密度:不小于8.920g/cm3
纯度:4N
单晶铜抗拉强度(MPa) 128.31 多晶铜抗拉强度(MPa) 151.89
单晶铜屈服强度(MPa) 83.23 多晶铜屈服强度(MPa) 121.37
单晶铜伸长率% 48.32 多晶铜伸长率% 26
单晶铜维氏硬度(HV) 65 多晶铜维氏硬度(HV) 79
单晶铜断面收缩率% 55.56 多晶铜断面收缩率% 41.22
单晶铜电阻率(X10-8 Ω.m) 1.717 多晶铜电阻率(X10-8 Ω.m) 1.767
单晶铜导电率(IACS%) 100.4 多晶铜导电率(IACS%) 97.56 |
|