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翠玉阁珠宝 · 发表于 2013-3-14 00:26

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本帖最后由翠玉阁珠宝于 2013-8-23 14:31 编辑

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[tr][/tr][/table][/table]SONY TA-FA7ES\180,000（1995年発売）

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解说
ニューESシリーズのフラッグシップモデルとして発表されたプリメインアンプ。

电源部をシャーシの中央に据え、その両侧に左右のパワーアンプを配置するツインモノラルコンストラクションを采用しています。
チャンネル间でクロストークが発生しやすいパワーアンプを、ヒートシンクごと左右独立のモノラルアンプのように分离することで、良好なチャンネルセパレーションを実现しています。

小信号を扱うプリ部に対して、大电流のパワー部と电源部が与える影响を考虑し、シャーシ内をビームで仕切る2BOXセパレート构造を采用しています。

増幅回路は、入力段のカップリングコンデンサーを不要にするジャンクションFETにはじまり、电圧増幅段（Aクラス段）、ドライブ段のMOS FET、ファイナル段のパワーMOS FETまで、全てオーディオ専用の非磁性FETを采用したオールFET构成となっています。
MOS FETは、入力インピーダンスが高いためドライバー段と出力段を电気的に分离でき、互いの干渉を少なくできます。これにより比较的シンプルな回路构成で高音质が得られ、耳につきやすい奇数次歪を抑制できるという利点を合わせ持っています。

MOS FETの优れた特性を生かすため、ニューESアンプはMOSエクスクルーシブデザインを采用しています。
この回路では、バイアス回路の温度特性と电流増幅段のMOS FETの温度特性が一致しない场合に発生するアイドリング电流の変化を抑えるため、バイアス回路にMOS FETと同じ温度特性を持つオプティカル素子を追加したオプティカルバイアスサーキットと呼ばれる构成になっています。これにより、アイドリング电流を一定に保ち、オーディオ信号のより安定した増幅を実现しています。
また、バイアス回路のバイパスコンデンサーを大容量化してインピーダンスを下げることにより、用多かな低域を得ています。

电源部のトランスには新开発のトーラストロイダルトランスを采用しています。このトランスでは、従来のトロイダルトランスでは四角形であったコア断面を楕円形にすることにより、コイルの密着性を向上させています。これにより、より効率を高めるとともに振动の発生を大幅に低减し、オーディオ信号への影响を少なくしています。また、コイルの全长が短くなるためインピーダンスが下がるという特长も持っています。

电源部にはアドバンストS.T.D..（Spontaneous Twin Drive）电源を采用しています。
従来のS.T.D.电源では、电圧増幅段（Aクラス段）と电力増幅段（Bクラス段）それぞれ専用に、整流回路から分离??独立して电源を供给する构成を采用しています。これにより、大出力时にも电力増幅段の电源电圧の変化が、电圧増幅段の电源に悪影响を与えず、音质改善を実现しています。
アドバンストS.T.D.电源はこれをさらに発展させたもので、电圧増幅段にインダクションコイルを加えて整流时の电圧変动を低减するとともに、大容量コンデンサーを搭载することで、瞬间的な大电流の供给にも対応しています。これにより中高域の音质と聴感上のSN比、ダイナミックレンジを改善しています。

新采用のピュアインプットサーキットを采用しています。この回路では、入力端子からインプットセレクターを経てマスターボリュームに至るまでの信号系路上のスイッチを従来の半分以下にまで大幅に削减しており、信号の劣化を抑えています。また、同じ理由からミューティング回路も信号系路上に接点を设けない方式としています。
さらに、各入力端子からの信号は、従来は全てRec outセレクターに送られていましたが、Rec outセレクターで选ばれたソース以外の回路を入力端子の直后で解放するこで、より信号の纯度を高く保っています。

TA-FA7ESでは、XLRタイプのバランス入力端子を搭载しています。この入力では、正相と逆相のオーディオ信号を同时に伝送することで、伝送系に混入するノイズ成分をキャンセルできます。
さらに、バランス入力回路にはメタルコア??モジュールを采用しています。この基板には、热伝导性に优れたアルミ合金性のメタルコア（金属基板）に耐热绝縁処理を施したうえで、铜の回路パターンを形成し、そこに部品を表面実装する方式を采用しています。これにより部品のリード线を省略して接点を减らし、バランス伝送による信号の纯度を保っています。

左右各チャンネル独立のアルミ制大型ヒートシンクを搭载しています。これによりシャーシ内温度の左右バランスを保ち、良好なセパレーション特性を得ています。
さらに、TA-FA7ESでは、このヒートシンクをフッ素加工し、ヒートシンク自身の共振を抑える事によりシャーシ内部から発生する振动の低减を図っています。

シャーシ构造にはFBシャーシを采用しています。FBシャーシでは、十分な强度と厚みを持ったメタル材を使用しており、シャーシ全体を一つの箱として强固に构成しています。さらに、外周を取り囲むフレームと前后左右に渡したビームはそれぞれ异なる形状と大きさを持たせ、ネジにより组み合わされています。これにより、异なる振动モードを持つフレームとビームの组み合わせになるため、シャーシ内外の振动を大幅に减衰できています。
さらに、电源部とヒートシンクを中央部のベースビームに固定することにより、良好な重量バランスと强度を确保しています。

インシュレーターには偏心インシュレーターを采用しています。このインシュレーターでは、ビス穴を中心からオフセットすることにより、円周上の各方向からビスに伝わる振动の位相を変え、シャーシに伝わる振动の相互打消しを図っています。形状は试作品により音质を検讨した结果、直径を従来より小さめの50mmとしています。
さらに、TA-FA7ESでは鋳鉄制のものを采用しています。

ボリュームには、低歪の印刷抵抗や、非磁性??金メッキ処理がされた摺动子ブラシを采用した高音质ボリュームを使用しています。

出力段には、スイッチング歪やクロスオーバー歪を低减し、さらに実使用再生レベルでも低歪化を図るスーパーレガートリニア方式を采用しています。

ローノイズFETを采用したフォノイコライザーアンプを内蔵しています。

ACラインからのノイズ混入を抑えるESフィルターを搭载しています。

プリ出力端子を搭载しています。

ゴールドとブラックの2种类のバリエーションがありました。

ワイヤレスリモコンが付属しています。
　

　

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机种の定格

机种の定格

型式
プリメインアンプ
実効出力（20Hz～20kHz） 120W＋120W（4Ω）
100W＋100W（6Ω）
80W＋80W（8Ω）
入力感度/インピーダンス Phono MM：2.5mV/50kΩ
Phono MC：170μV/100Ω
Line系：150mV/50kΩ
出力レベル/インピーダンス Rec out：150mV/1kΩ
Headphone：25mW（8Ω）
全高调波歪率 0.008％（10W出力时、8Ω）
混変调歪率（60Hz：7kHz＝4：1） 0.008％（定格出力时、8Ω）
周波数特性 Phono MM：20Hz～20kHz ±0.2dB
Line系：2Hz～100kHz +0 -3dB
SN比 Phono MM：87dB
Phono MC：70dB
Line系：105dB
トーンコントロール Bass：±7dB（100Hz）
Treble：±6dB（10kHz）
付属机能ソースダイレクトスイッチ
Rec out off
Rec outセレクター
リモートコマンダー
电源 AC100V、50Hz/60Hz
消费电力 230W
外形寸法幅430×高さ175×奥行450mm
重量约19.8kg
付属ワイヤレスリモコン RM-J350