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楼主: 今夜星光

转关于场效应、双极型和绝缘栅双极型晶体管做功放的分析

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发表于 2010-8-12 15:17 | 显示全部楼层
原帖由 anony 于 2010-8-12 15:15 发表
你打算自己写一本?
还有信号分析的教材,中国和国外的观点是一样的,没有自创的东西。


那你就按照教材去做功放卖去吧。
我的东西只在自己的小圈子里面流行,既然说了不做这个就肯定不做。不像XX贼喊捉贼。
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发表于 2010-8-12 15:18 | 显示全部楼层
原帖由 今夜星光 于 2010-8-12 15:13 发表


anony,不知你的年龄多大,我希望看见你学习讨论的帖子或跟贴,即使你和老勃一起做生意也是应该这样才有说服力,才能卖得好[s:97] 。我觉得BJT级数少的话增益不够,尤其是小信号,级数多的话时滞问题会严重,负反 ...
在论坛你是新人,你可能没见过我骂勃总的日子。
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发表于 2010-8-12 15:20 | 显示全部楼层
原帖由 lyticast 于 2010-8-12 15:17 发表


那你就按照教材去做功放卖去吧。
我的东西只在自己的小圈子里面流行,既然说了不做这个就肯定不做。不像XX贼喊捉贼。
知之为知之,不知为不知,做人诚实为本,奉劝博士少发这样的帖子,以免让人看不起。
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发表于 2010-8-12 15:21 | 显示全部楼层
原帖由 lyticast 于 2010-8-12 13:33 发表


大电流工作状态下的BJT,其FT远远达不到PDF上所标称的FT。
另外就是动特性,用BJT可以放大“稳定”的100KHz甚至于是1MHz正弦信号,但是不能精确放大20KHz的动态信号。
稳定信号的放大和动态信号的放大完全就是 ...

我看见K佬,MARK 的机器上用的是M记的金封管,频率有的只有3MHZ照样不失真。看到有的用上了NEC 200MHZ推动,60MHZ甚至90M的输出管也不见得好听。音乐传真有用MOSFET的,也有用BJT。我是倾向与BJT的
聪明比善良更难,聪明是一种天赋,而善良只是一种选择
音联邦
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 楼主| 发表于 2010-8-12 15:21 | 显示全部楼层
原帖由 anony 于 2010-8-12 15:16 发表
和你差不多大吧。还有我也不是马甲,不用叫我滚一边去。


你不是马甲,也不用滚一边,冷静下来认真讨论功放技术吧。[s:97]
香港弦声音响
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 楼主| 发表于 2010-8-12 15:23 | 显示全部楼层
原帖由 anony 于 2010-8-12 15:20 发表
知之为知之,不知为不知,做人诚实为本,奉劝博士少发这样的帖子,以免让人看不起。


这贴子说BJT的缺点和MOSFET的优点,你没看吧?[s:31] [s:31] [s:31]
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发表于 2010-8-12 15:24 | 显示全部楼层
原帖由 今夜星光 于 2010-8-12 15:21 发表


你不是马甲,也不用滚一边,冷静下来认真讨论功放技术吧。[s:97]

讨论技术当然欢迎,不过不要发这种缺乏学术道德的帖子。
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发表于 2010-8-12 15:26 | 显示全部楼层
原帖由 今夜星光 于 2010-8-12 15:23 发表


这贴子说BJT的缺点和MOSFET的优点,你没看吧?[s:31] [s:31] [s:31]
是关于场效应、双极型和绝缘栅双极型晶体管做功放的分 的吗?
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 楼主| 发表于 2010-8-12 15:27 | 显示全部楼层
原帖由 anony 于 2010-8-12 15:24 发表

讨论技术当然欢迎,不过不要发这种缺乏学术道德的帖子。


看来你年龄可能比我还大,不好意思,我们都老了。[s:97] [s:97] [s:97]
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 楼主| 发表于 2010-8-12 15:28 | 显示全部楼层
原帖由 anony 于 2010-8-12 15:26 发表
是关于场效应、双极型和绝缘栅双极型晶体管做功放的分析 的吗?


翻字典去吧!!!
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发表于 2010-8-12 15:28 | 显示全部楼层
原帖由 anony 于 2010-8-12 15:26 发表
是关于场效应、双极型和绝缘栅双极型晶体管做功放的分析 的吗?


你先搞明白功放是属于弱电还是强电再讨论不迟。连状态都搞不清就乱套用理论算什么?难怪不见你有好作品[s:14]
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发表于 2010-8-12 15:32 | 显示全部楼层
原帖由 今夜星光 于 2010-8-12 15:28 发表


翻字典去吧!!!
不用翻字典,我的英语水平也不在你之下的,这里讨论的不是看不看得懂英语的问题,而是看得懂英语的人的学术品德问题。
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发表于 2010-8-12 15:35 | 显示全部楼层
有个人号称自己如何精通古典,得高雅之真传,可一出口全粗话。
哈发比比爱思点耐特。
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 楼主| 发表于 2010-8-12 15:40 | 显示全部楼层
原帖由 饿虎扑食 于 2010-8-12 12:26 发表
大体是说MOSFET的速度高于BJT,IGBT兼有两者的优点,具有MOSFET高阻抗的特点,又有BJT导通电阻小的优点。[s:14] [s:97] [s:30] 基本上说的就是开关。

IGBT的实质就是MOSFET驱动BJT,所以开关速度上不去。[s:14] [ ...




[s:21] ,我只对其中和我们发烧相关的少量内容有兴趣。[s:97]
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发表于 2010-8-12 15:42 | 显示全部楼层
原帖由 anony 于 2010-8-12 15:32 发表
不用翻字典,我的英语水平也不在你之下的,这里讨论的不是看不看得懂英语的问题,而是看得懂英语的人的学术品德问题。


你也不用给人乱扣帽子,博士是好意提醒,不存在利益目的。
至于误导人一说根本站不住脚。说了你会相信吗?这叫做爱信不信。不过书呆子都比较顽固,说了也是白说。
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