求问，什么叫 背照式CMOS 有哪些优缺点？？

赤翎

何为背照式CMOS，有哪些优缺点！！

zjxs

BSI 很容易解释， 普通 CCD/CMOS，它的感光面是在正面， 光线也必须从正面照射。

CMOS的正面， 电路布线和光敏二极管是在一起的，不必要的电路层是不能接收光线的，它占据了传感器很大的开口率比重。

BSI 就是从没有布线电路的背面将光线照射到“光敏二极管”上。 可以几乎利用整个传感器感光面的近乎 100%去接收光线。

唯一的问题是光线要穿过“硅底衬”后（因为传感器背面是一层“硅底衬”），再达到“光敏二极管”。 正面照射的CMOS，因为没有考虑过光线从背面照射，所以它的“硅衬”是很厚的， 因为 CMOS感光器是在“硅底衬”上进行布线和加工的制造工艺，所以“衬底”必须要厚，只有这样才能保证必须的机械加工强度（否则会因为机械强度不够，而造成硅衬断裂，整片CMOS变成废片）。


而背照式刚好反过来，光线要从背面照射进来，你那么厚的硅底，那光线是没有办法穿透的。 唯一的办法就是把“硅底”磨薄，要多薄呢？一般的 BSI大概需要在普通CMOS硅底厚的 1/50--1/100， 而SONY的“积层型背照式”需要更薄，大约需要 1/200以下。

这个研磨“硅底”的工艺是变态级的，所以到今天为止，真正掌握 BSI背照工艺的厂家没几家，而能掌握“积层型背照工艺”的，全世界只有SONY一家！！！

zjxs

BSI 优点和缺点同样突出。

优点是：小尺寸成像器件（1/2、1/3.....等等），因为光线从后部照射，几乎利用了整个传感器 100%感光面，所以灵敏度提升很明显，尤其对低光的表现要比“正面照射”的传感器好不少。


但缺点同样突出，加工难度很大，  因为“硅底衬”超级薄（是一般CMOS 的 1/50--1/100），所以加工机械强度无法得到保证，在对小尺寸传感器（1/2、1/3英寸等等）加工时还好说，一旦传感器尺寸做大（比如 1英寸以上，甚至是APS-C、全幅），那过薄的“硅衬底”就成为障碍， 要在那么大的传感器上做那么薄的“硅底”，目前的工艺还很难实现必须的机械加工强度【机械加工中，传感器很容易断裂】，所以 BSI（背照）只能应用在小尺寸传感器上，对大尺寸目前还无能为力。

melfes

算了，西区进来回答了...

赤翎

zjxs 发表于 2013-6-18 16:53
BSI 优点和缺点同样突出。

优点是：小尺寸成像器件（1/2、1/3.....等等），因为光线从后部照射，几乎利用 ...

谢谢您的回答，万分感谢。据说索尼的RX100的后继机型将采用一英寸的背照式COMS不知道真假。所以才发贴问下。

melfes

赤翎 发表于 2013-6-19 10:09
谢谢您的回答，万分感谢。据说索尼的RX100的后继机型将采用一英寸的背照式COMS不知道真假。所以才发贴问 ...

我倒觉得RX100 II用背照没什么用...

赤翎

melfes 发表于 2013-6-19 16:41
我倒觉得RX100 II用背照没什么用...

有一定的道理